可控硅的丈量方法

  不只具有单向导电性，并且还具有比硅整流元件（谷称“死硅”）更为可贵的可控性。它只需导通和关断两种状况。

  可控硅能以毫安级电流操控大功率的机电设备，假如超越此频率，因元件开关损髦明显地添加，答应经过的均匀电流相下降，此刻，标称电流应降级运用。

  可控硅的长处许多，例如：以小功率操控大功率，功率扩大倍数高达几十万倍；反响极快，在微秒级内注册、关断；无触点运转，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

  （1）KP5-10表明通态均匀电流5安，正向重复峰值电压1000伏的一般反向阻断型可控硅元件。

  （2）KP500-12D表明通态均匀电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态均匀电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。

  当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于扩大状况。此刻，假如从操控极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2扩大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此刻，电流ic2再经BG1扩大，所以BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的成果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱满导通。

  因为BG1和BG2所构成的正反馈效果，所以一旦可控硅导通后，即便操控极G的电流消失了，可控硅依然可以坚持导通状况，因为触发信号只起触发效果，没有关断功用，所以这种可控硅是不行关断的。

  （1）反向特性 当操控极开路，阳极加上反向电压时（见图4），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此刻只能流过很小的反向饱满电流，当电压进一步提升到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流敏捷添加，图3的特性开端曲折，如特性OR段所示，曲折处的电压URO叫“反向转机电压”。此刻，可控硅会产生永久性反向击穿。

  因为电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结产生雪崩倍增效应，在结区产生很多的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区经过J1结注入N1区的空穴复合，相同，进入P2区的空穴与由N2区经过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能悉数复合掉，这样，在N1区就有电子堆集，在P2区就有空穴堆集，成果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只需电流稍添加，电压便敏捷下降，呈现所谓负阻特性，见图3的虚线三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状况---通态，此刻，它的特性与一般的PN结正向特性类似，见图3中的BC段

  在操控极G上参加正向电压时（见图6）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，构成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈效果（见图2）的基础上，加上IGT的效果，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

  图6、阳极和操控极均加正向电压怎样用万用表丈量可控硅的各电极1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔别离测恣意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此刻黑笔接的引脚为操控极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此刻将黑表笔接已判别了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此刻万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和操控极G，此刻万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针产生偏转，阐明该单向可控硅已击穿损坏。

  用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔别离测恣意两引脚正反向电阻，成果其间两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为榜首阳极A1和操控极G，另一空脚即为第二阳极A2。确认A、G极后，再细心丈量A1、G极间正反向电阻，读数比较小的那次丈量的黑表笔所接的引脚为榜首阳极A1，红表笔所接引脚为操控极G。将黑表笔接已确认了的第二阳极A2，红表笔接榜首阳极A1，此刻万用表指针应不产生偏转，阻值为无穷大。再用短接线、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。随后断开A2、G极短接线欧姆左右。交换红黑表笔接线。相同万用表指针应不产生偏转，阻值为无穷大。用短接线、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，坚持10欧姆左右。契合以上规则，阐明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判别正确。

  检测较大功率可控硅管，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以进步触发电压。