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英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆

来源:BB贝博APP体育官网下载    发布时间:2024-12-04 01:57:32

  这款新推出的硅功率晶圆直径为300mm,厚度仅为20μm,相当于头发丝的四分之一,是现在商场上最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。这一立异不只代表了半导体资料加工技能的极致,更为未来的

  此前,英飞凌现已宣告推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆,并在马来西亚居林建成了全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂。此次最薄硅功率晶圆的推出,进一步稳固了英飞凌在功率半导体范畴的领先地位。

  英飞凌表明,这款最薄硅功率晶圆的推出,将为带来更高的功能和更低的功耗,助力完成更广泛的使用场景。未来,英飞凌将持续致力于半导体技能的立异与开展,为全球客户供给更优质的产品和服务。

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  的差异的剖析: 资料特性: 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体资料,具有比

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