英飞凌在硅功率晶圆方面获得打破性开展

  （GaN）功率半导体晶圆及在马来西亚居林树立全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂后，再次宣告了一项新的里程碑成果。此次，英飞凌成功处理和加工了史上最薄的硅功率晶圆，该晶圆直径为300mm，厚度仅为20μm，相当于头发丝的四分之一，比当时最先进的40-60μm晶圆厚度削减了一半。

  英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表明，这款全球最薄的硅晶圆显示了英飞凌致力于推进功率半导体技能开展，为客户发明杰出价值的决计。这一打破标志着英飞凌在节能功率处理计划范畴获得了重要开展，有助于充沛的发挥全球低碳化和数字化趋势的潜力。经过把握Si、SiC和GaN这三种半导体资料，英飞凌进一步稳固了其在职业立异方面的领先位置。

  这项立异技能将大幅度的进步功率转化处理计划的能效、功率密度和可靠性，大范围的使用于AI数据中心、消费、电机操控和核算等范畴。与传统硅晶圆处理计划比较，晶圆厚度折半可使基板电阻下降50%，由此削减功率体系中的功率损耗15%以上。关于高端AI服务器使用，超薄晶圆技能促进了根据笔直沟槽MOSFET技能的笔直功率传输规划，完成了与AI的高度紧密连接，进步了全体功率并削减了功率损耗。

  英飞凌科技电源与传感体系事业部总裁Adam White指出，新式超薄晶圆技能推进了英飞凌以最节能办法为不一样的AI服务器装备供给动力的方针。跟着AI数据中心能源需求的急剧上升，能效变得至关重要。根据中双位数的增长率，英飞凌估计其AI业务收入在未来两年内将到达10亿欧元。

  为了战胜将晶圆厚度下降至20μm的技能妨碍，英飞凌工程师们立异了一种共同的晶圆研磨办法，极大地影响了薄晶圆反面的处理和加工。一起，他们还处理了晶圆翘曲度和晶圆别离等技能和出产应战，确保晶圆稳定性和一流稳健性的后端安装工艺。20μm薄晶圆工艺根据英飞凌现有的制作技能，可以无缝集成到现有的大批量Si出产线中，确保高产量和供给安全性。

  该技能已被使用于英飞凌的集成智能功率级（直流-直流转化器）中，并已交付给第一批客户。一起，英飞凌还具有与20μm晶圆技能相关的强壮专利组合，进一步表现了其在半导体制作范畴的立异领头羊。英飞凌猜测，在未来三到四年内，现有的传统晶圆技能将被用于低压功率转化器的代替技能所替代。这一打破进一步稳固了英飞凌在市场上的共同位置，并为其供给了全面的产品和技能组合，覆盖了根据Si、SiC和GaN的器材，这一些器材是推进低碳化和数字化的关键因素。

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